[发明专利]基于金属阳离子修饰黑磷的突触器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810340826.0 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108987565B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 张晗;王慧德;郭志男 | 申请（专利权）人： | 张晗 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于金属阳离子修饰黑磷的突触器件，包括作为突触前端的背栅电极、依次设置在背栅电极上的隔离层和功能层、以及间隔设置在功能层上的作为基准电极的第一电极和作为突触后端的第二电极，第一电极和第二电极之间形成的沟道结构暴露出部分功能层，功能层的材料包括金属阳离子修饰的黑磷薄片。本发明提供的金属阳离子修饰的黑磷突触器件，环境稳定性好、同时具有优异的突触性能，为类脑计算提供了极具实用价值的重要元器件支撑。本发明还提供了一种基于金属阳离子修饰黑磷的突触器件的制备方法，方法简单易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金属 阳离子 修饰 黑磷 突触 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于金属阳离子修饰黑磷的突触器件，其特征在于，包括作为突触前端的背栅电极、依次设置在所述背栅电极上的隔离层和功能层、以及间隔设置在所述功能层上的作为基准电极的第一电极和作为突触后端的第二电极，所述第一电极和所述第二电极之间形成的沟道结构暴露出部分所述功能层，所述功能层的材料包括金属阳离子修饰的黑磷薄片。
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