[发明专利]碲化镉纳米晶复合的宽波段黑磷光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 201810340838.3 | 申请日: | 2018-04-17 |
公开(公告)号: | CN108550640B | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 张晗;王慧德;郭志男;范涛健;曹睿 | 申请(专利权)人: | 张晗 |
主分类号: | H01L31/0264 | 分类号: | H01L31/0264;H01L31/18 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种碲化镉纳米晶复合的宽波段黑磷光电探测器,包括基底、依次设置在基底上的碲化镉纳米晶层和黑磷薄片层,以及间隔设置在黑磷薄片层上的源极和漏极,源极和漏极之间形成的沟道结构暴露出部分黑磷薄片层。该探测器可实现同时对可见光和红外光的探测。本发明还提供了一种所述电探测器的制备方法,包括:将基底放入到碲化镉纳米晶水溶液中浸泡4‑10h,制得碲化镉纳米晶层;将黑磷薄片转移到碲化镉纳米晶层上,形成黑磷薄片层;在黑磷薄片层上方以及未被黑磷薄片层覆盖的碲化镉纳米晶层上方旋涂光刻胶,经曝光和显影后,形成电极图案;沉积电极材料,随后剥离光刻胶,形成源极和漏极,得到所述光电探测器。该制备方法简单易操作。 | ||
搜索关键词: | 碲化镉 纳米 复合 波段 黑磷 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种碲化镉纳米晶复合的宽波段黑磷光电探测器,其特征在于,包括基底、依次设置在所述基底上的碲化镉纳米晶层和黑磷薄片层,以及间隔设置在所述黑磷薄片层上的源极和漏极,所述源极和所述漏极之间形成的沟道结构暴露出部分所述黑磷薄片层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张晗,未经张晗许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810340838.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的