[发明专利]网状复合结构薄膜及增韧合成方法有效
| 申请号： | 201810342674.8 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108642460B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 沈燕 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/36;C23C14/35;C23C14/58;C23C14/30;C23C14/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250353 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明实施公开了一种网状复合结构薄膜及增韧合成方法。通过溅镀金属纳米薄层、金属表层氧化、以复合粒子为基点生长纳米晶三个步骤，形成网状结构复合薄膜。发明实施的复合结构薄膜中金属颗粒为韧性相，能提高薄膜塑性变形能力，纳米晶须可改善薄膜中应力集中问题。 | ||
| 搜索关键词： | 网状 复合 结构 薄膜 合成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种网状复合结构薄膜及原位增韧合成方法，其特征包括：金属纳米粒子经过表层氧化后，形成复合粒子基体，以复合基体粒子为基点生长纳米晶，纳米晶连接形成网状复合结构薄膜；金属粒子为韧性相，能提高薄膜的塑性变形能力；以金属粒子为基点原位生长的纳米晶，作为薄膜应力分散结构可改善应力集中问题。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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