[发明专利]一种大尺寸Rb0.5RhO2或Cs0.5RhO2晶体的生长方法在审
| 申请号： | 201810343203.9 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108531974A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 姚淑华;林大钧;吕洋洋;陈思思;陈延彬;陈延峰 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 210023 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种大尺寸Rb0.5RhO2或Cs0.5RhO2晶体的生长方法。该方法首先按照一定的质量比例，分别称取Rh2O3和助熔剂Cs2CO3或者Rh2O3和助熔剂Rb2CO3，用研钵研磨混匀后至于干净的氧化铝坩埚中；然后采用助熔剂法生长：先将温度升高到100℃，并维持8小时后，继续升温至1000℃或900℃，然后按照5℃/h的速率分别降温至800℃或700℃，最后自然冷却到室温，采用高纯水溶解助熔剂，烘干之后即可分别获得高质量大尺寸的Rb0.5RhO2或者Cs0.5RhO2单晶体。本发明的晶体生长方法具有生长设备简单、成本低廉、可获得高质量晶体等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 助熔剂 晶体的 生长 氧化铝坩埚 晶体生长 生长设备 研磨 单晶体 高纯水 烘干 称取 混匀 研钵 溶解 | ||
【主权项】：
1.一种大尺寸Rb0.5RhO2或Cs0.5RhO2晶体的生长方法，其特征在于，所述Rb0.5RhO2晶体的生长方法包括如下步骤：(1)原料配制：称取一定量的Rh2O3和助熔剂Rh2O3，用研钵研磨混匀后至于干净的氧化铝坩埚中，所述Rh2O3和助熔剂Rh2O3的质量比范围为1:20～1:60；(2)晶体生长：将配制好的生长原料置于生长装置中采用助熔剂法生长，首先将温度升高到100℃，并维持8小时后，继续升温至1000℃，然后按照5℃/h的速率降温至800℃，最后再自然冷却到室温，采用高纯水溶解所述助熔剂Rh2O3，烘干之后即可获得高质量大尺寸的Rb0.5RhO2单晶体。
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