[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810343945.1 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108847437A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 胡红坡;董彬忠;张奕;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括平片衬底和依次设置在平片衬底上的氮化物成核层、布拉格反射层、u型GaN层、n型层、发光层和p型层，布拉格反射层上形成有周期性镂空图形，或者布拉格反射层包括在氮化物成核层上阵列排布的周期性凸起，u型GaN层生长在氮化物成核层上且覆盖布拉格反射层，在生长u型GaN层时，在露出的氮化物成核层的表面上具有较高的生长速度，在布拉格反射层上不会直接生长出GaN晶体，在露出的氮化物成核层的表面上生长的晶粒具有相同的取向，这样可以使生长出来的晶粒取向相同，从而减少后续形成的外延结构的位错密度，有利于降低外延片的位错密度，提高外延片的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 布拉格反射层 氮化物成核层 外延片 生长 发光二极管 衬底 平片 位错 晶粒 晶粒取向 外延结构 依次设置 直接生长 镂空图形 发光层 光电子 排布 取向 凸起 制作 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括平片衬底和依次设置在所述平片衬底上的氮化物成核层、布拉格反射层、u型GaN层、n型层、发光层和p型层，所述布拉格反射层上形成有周期性镂空图形，或者所述布拉格反射层包括在所述氮化物成核层上阵列排布的周期性凸起，所述u型GaN层生长在所述氮化物成核层上且覆盖所述布拉格反射层。
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