[发明专利]一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法

摘要

一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法，1)将Ge片、SiO2/Si片分别超声清洗；2)超声清洗后的SiO2/Si片用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸后冲洗，再用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗，用HCl、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗；3)超声清洗后的Ge片用盐酸溶液浸泡，漂洗；4)重复步骤3)5次，然后将处理后Ge片放入氢氟酸溶液中浸泡，冲洗，甩干后溅射生长一层a‑Si过渡层；5)将步骤2)冲洗后的SiO2/Si片与步骤4)溅射后的Ge片置于氨水溶液中处理，甩干后贴合得Ge/SiO2/Si贴合片；6)Ge/SiO2/Si贴合片放入晶片键合机中热压键合。方法简易，成本低。

主权项

1.一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法，其特征在于包括以下步骤：1)将基底材料Ge片、SiO2/Si片分别超声清洗，去除基底表面吸附颗粒物和有机物；2)将步骤1)超声清洗后的SiO2/Si片用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸后冲洗，再用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗，然后用HCl、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗；3)将步骤1)超声清洗后的Ge片用盐酸溶液浸泡，漂洗；4)重复步骤3)，然后将处理后Ge片放入氢氟酸溶液中浸泡，冲洗，甩干后放入磁控溅射系统，溅射生长一层a‑Si过渡层；5)将步骤2)冲洗后的SiO2/Si片与步骤4)溅射后的Ge片置于氨水溶液中处理，以增强基片表面亲水性，再甩干后进行贴合，得Ge/SiO2/Si贴合片；6)将步骤5)得到的Ge/SiO2/Si贴合片热压键合，即完成无界面气泡绝缘层上锗键合。