[发明专利]预间隔物自对准切口形成有效
| 申请号： | 201810347213.X | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108735661B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 张洵渊;赖史班 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种预间隔物自对准切口形成，其提供形成自对准切口的方法及形成有自对准切口的结构。在金属硬掩膜层上形成介电层，并且在该介电层上形成心轴。形成穿过该介电层延展至该金属硬掩膜层的切口。藉由该介电层中该切口所曝露的该金属硬掩膜层的区域上形成金属层的区段。形成该金属层之后，在该心轴的垂直侧壁上形成间隔物。 | ||
| 搜索关键词： | 间隔 对准 切口 形成 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包含：在金属硬掩膜层上形成第一介电层；在该第一介电层上形成心轴；形成穿过该第一介电层延展至该金属硬掩膜层的第一切口；在藉由该第一介电层中该第一切口所曝露的该金属硬掩膜层的第一区域上形成金属层的第一区段；以及形成该金属层之后，在该心轴的垂直侧壁上形成间隔物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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