[发明专利]一种半导体性单壁碳纳米管分离富集的方法有效
| 申请号： | 201810348995.9 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108423652B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 官轮辉;吴初新;缪育明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C01B32/159 | 分类号： | C01B32/159;C01B32/172 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 张莹 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体性单壁碳纳米管分离富集的方法，涉及碳纳米材料制备科学技术领域。先采用电化学氧化法对原始单壁碳纳米管中的金属性和半导体性单壁碳纳米管进行不同程度的预氧化刻蚀；再将上述处理的单壁碳纳米管置于氧化性气氛下短时间高温灼烧，即实现半导体性单壁碳纳米管的分离富集，得到的半导体性单壁碳纳米管的纯度可达99wt％，回收率61wt％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 性单壁碳 纳米 分离 富集 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体性单壁碳纳米管分离富集的方法，其特征在于，先采用电化学氧化法对原始单壁碳纳米管中的金属性和半导体性单壁碳纳米管进行不同程度的预氧化刻蚀；再将上述处理的单壁碳纳米管置于氧化性气氛下短时间高温灼烧，即实现半导体性单壁碳纳米管的分离富集。
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