[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及显示装置在审
| 申请号： | 201810349168.1 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108598155A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 杨珊珊;魏明贺 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 215301 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括栅极、源漏极金属层以及半导体层；所述栅极设置在透明基板上；所述透明基板上还设有栅极绝缘层覆盖所述栅极；所述半导体层设置在所述栅极绝缘层上并位于所述栅极的上方；所述源漏极金属层设置在所述半导体层上，包括源极和漏极，所述源极和所述漏极彼此分离并与所述半导体层接触，所述半导体层设有沟道，所述沟道设置在所述源极和所述漏极之间，所述栅极与所述源漏极金属层在垂直于所述透明基板方向上具有交叠区域，所述栅极与所述源漏极金属层中至少一个设置有用于减小所述栅极与所述源漏极金属层之间的正对面积的镂空结构。本发明还涉及一种阵列基板和显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏极金属层 半导体层 透明基板 漏极 源极 薄膜晶体管 栅极绝缘层 显示装置 阵列基板 沟道 彼此分离 交叠区域 镂空结构 减小 垂直 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括栅极(110)、源漏极金属层(120)以及半导体层(300)；所述栅极(110)设置在透明基板(100)上；所述透明基板(100)上还设有栅极绝缘层(101)覆盖所述栅极(110)；所述半导体层(300)设置在所述栅极绝缘层(101)上并位于所述栅极(110)的上方；所述源漏极金属层(120)设置在所述半导体层(300)上，包括源极(121)和漏极(122)，所述源极(121)和所述漏极(122)彼此分离并与所述半导体层(300)接触，所述半导体层(300)设有沟道(301)，所述沟道(301)设置在所述源极(121)和所述漏极(122)之间，其特征在于，所述栅极(110)与所述源漏极金属层(120)在垂直于所述透明基板(100)方向上具有交叠区域，所述栅极(110)与所述源漏极金属层(120)中至少一个设置有用于减小所述栅极(110)与所述源漏极金属层(120)之间的正对面积的镂空结构。
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