[发明专利]一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷单晶的方法在审

专利信息
申请号: 201810349413.9 申请日: 2018-04-18
公开(公告)号: CN109913942A 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 刘碧录;刘明强 申请(专利权)人: 清华-伯克利深圳学院筹备办公室
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00;C30B29/02
代理公司: 深圳大域知识产权代理有限公司 44479 代理人: 何园园
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法,该方法包括:将红磷、锡粉和传输剂混合置于密封腔的一端;对所述密封腔抽真空至10Pa以下;对所述密封腔加热、保温,然后分两阶段降温使黑磷晶体自发生长在所述密封腔的另一端获得黑磷晶体;其中,所述传输剂为SnI4、TeI4、SiI4、CoI2、BI3、SbI3、NH4I、BiI3、I2、PbI2、NaI、KI或LiI中的一种或数种。进一步还包括在所述密封腔中放置粉末状的掺杂单质,所述掺杂单质为Sb、Se、Te、Bi、Si、Co、B或Mn中的至少一种。通过系统研究黑磷单晶的气相输运法生长,揭示其生长机理,实现了高质量的黑磷及掺杂黑磷的高效、高产量、可控制备。
搜索关键词: 黑磷 密封腔 掺杂 输运 传输剂 单晶 单质 生长机理 系统研究 生长 抽真空 可控制 红磷 锡粉 保温 加热
【主权项】:
1.一种气相输运法制备黑磷和掺杂黑磷的方法,其特征在于,所述气相输运法制备黑磷的方法包括:将红磷、锡粉和传输剂混合置于密封腔的一端;对所述密封腔抽真空至10Pa以下;对所述密封腔加热、保温,然后分两阶段降温使黑磷晶体自发生长在所述密封腔的另一端获得黑磷晶体;其中,所述传输剂为SnI4、TeI4、SiI4、CoI2、BI3、SbI3、NH4I、BiI3、I2、PbI2、NaI、KI或LiI中的一种或数种。
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