[发明专利]基于PFM的铌酸锂纳米畴加工及成像方法

摘要

本发明公开了一种基于PFM的铌酸锂纳米畴加工及成像方法，首先利用施加第一交流电压的导电探针扫描铌酸锂薄膜表面；其次利用施加第一直流电压的导电探针对扫描后的所述铌酸锂薄膜进行纳米畴加工；最后在施加第二交流电压的导电探针对畴加工后的铌酸锂薄膜进行纳米畴结构成像的同时，向所述铌酸锂薄膜表面施加第二直流电压。本发明的效果是，在铌酸锂纳米畴加工前对其施以交流电，能提高铌酸锂纳米畴的形成概率，从而提高铌酸锂纳米铁电存储器的容量；在铌酸锂纳米畴成像的同时施以直流电，能显著提升铌酸锂纳米畴结构成像分辨率，以验证是否反转形成了铌酸锂纳米畴，以及确定纳米畴的大小。

主权项

1.一种基于PFM的铌酸锂纳米畴加工及成像方法，其特征在于按以下步骤进行：步骤一、利用施加第一交流电压的导电探针扫描铌酸锂薄膜表面，第一交流电压的电压值小于铌酸锂铁电畴的反转电压值；所述铌酸锂薄膜为沿c轴晶轴单向极化的铌酸锂单晶薄膜；步骤二、利用施加第一直流电压的导电探针对扫描后的所述铌酸锂薄膜进行纳米畴加工，第一直流电压的电压值大于等于铌酸锂铁电畴的反转电压值；步骤三、利用施加第二交流电压的导电探针对畴加工后的铌酸锂薄膜进行纳米畴结构成像，施加第二交流电压的同时向所述铌酸锂薄膜表面施加第二直流电压；第二直流电压的电压值小于铌酸锂铁电畴的反转电压值。