[发明专利]单模双包层掺镝硫系玻璃光纤及其制备方法有效
| 申请号： | 201810350914.9 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108732680B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 郭海涛;肖旭升;彭波;许彦涛;陆敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G02B6/036 | 分类号： | G02B6/036;G02B6/02;C03C13/04;C03B37/025 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 杨引雪 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供单模双包层掺镝硫系玻璃光纤及其制备方法，该光纤由外包层、内包层和纤芯组成，本发明利用高速旋管法制备外包层管和内包层管，利用熔融淬冷法制备芯棒，并结合多次棒管法制备得到芯包偏心小、界面贴合紧密，表面光滑且圆度良好的单模双包层掺镝硫系玻璃光纤，后期测试得到了中心波长分别在2957和4258nm的中红外光纤荧光光谱，本发明所提供的光纤有望成为一种理想的中红外主动光纤材料；本发明的光纤制备方法解决了现有硫系玻璃光纤的制备所存在的芯包易偏心，芯包尺寸比不易被定量控制，芯包结合面贴合不紧的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 单模 包层 掺镝硫系 玻璃 光纤 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.单模双包层掺镝硫系玻璃光纤，其特征在于：由内至外依次包括芯层、内包层及外包层；所述芯层的组分为：Ge：20～25mol％，Ga：3～7mol％，Sb：8～12mol％，S：60～65mol％，Se：1～4mol％，Dy：0.1～1mol％；所述内包层的组分为：Ge：20～25mol％，Ga：4～8mol％，Sb：8～12mol％，S：60～65mol％；所述外包层的组分为：Ge：22～28mol％，Ga：2～5mol％，Sb：8～12mol％，S：60～65mol％。
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