[发明专利]一种半导体器件及制备方法在审
| 申请号： | 201810351145.4 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108767017A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 孙辉;胡腾飞;刘美华;林信南 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/20 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体器件和制备方法，由于采用第一阳极欧姆结和第二阳极MIS结的复合阳极结构代替传统的肖特基结阳极，利用MIS结的沟道调控特性替代传统的肖特基结的整流特性，实现半导体器件的两个参数指标反向漏电流(IR)和正向开启电压(VoN)同时提升。同时，在本申请的制备方法中，整个制造过程所使用的工艺方案与条件均可通过标准Fab的工艺实现，并且工艺过程简单，减少了传统半导体器件终端优化设计时开窗口的次数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 阳极 制备 肖特基结 传统的 传统半导体器件 反向漏电流 参数指标 调控特性 复合阳极 工艺过程 工艺实现 开启电压 整流特性 制造过程 终端优化 开窗口 沟道 正向 替代 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件,其特征在于，包括：III‑V族氮化物半导体层，所述III‑V族氮化物半导体层至少包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；所述衬底位于所述III‑V族氮化物半导体层的底部，所述缓冲层位于衬底上并通过所述沟道层与所述势垒层隔离；钝化层和介质层；所述介质层与所述势垒层通过所述钝化层隔离开；第一阳极电极，为欧姆结结构，通过欧姆金属以欧姆接触配置在所述势垒层上；第二阳极电极，其与所述第一阳极电极电连接；所述第二阳极电极为MIS结结构，所述MIS结结构通过阳极金属配置在所述介质层上，且由所述介质层隔离所述阳极金属与所述势垒层构成；阴极电极，为欧姆结结构，通过所述欧姆金属以欧姆接触配置在所述势垒层上，与所述第二阳极电极和所述第一阳极电极无连接。
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