[发明专利]一种共面波导结构微米LED的制备方法有效
申请号: | 201810352458.1 | 申请日: | 2018-04-19 |
公开(公告)号: | CN108428770B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 康香宁;李诚诚;陈志忠;焦飞;冯玉龙;詹景麟;于彤军;吴洁君;沈波 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/64 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出了一种共面波导结构微米LED的制备方法,属于光电子器件面向可见光通信LED领域。本发明首先通过仿真模拟优化芯片排布及电极结构,然后在芯片工艺过程中,通过图形化掩埋及控制电子束蒸发条件,最终在芯片内实现共面波导结构,使得高频信号可馈入阵列内每个LED终端。本发明不但兼容传统LED制作工艺,而且简单可靠,使得高频信号有效馈入,提高了大功率芯片的带宽;同时将芯片与导热基底进行焊接,可大大提升高功率芯片的散热性能,有效提高大功率芯片的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 波导 结构 微米 led 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种共面波导微米LED的制备方法,其特征在于,具体包括:1)根据功率要求确定阵列中微米LED的尺寸和个数,再通过仿真模拟热分布、电流分布、及高频信号馈入情况,设计出若干个微米LED的排布和电极结构;2)在外延片上,通过干法刻蚀过程制备出上述LED区域及条状深刻蚀区域;然后沉积N型电极材料,形成大面积环绕N电极;3)淀积P型金属,形成被绝缘层隔离开的P电极区域与N电极区域,随后光刻、剥离形成N金属焊盘与P金属焊盘,至此形成共面波导结构;4)在散热基板上沉积与LED区域对应的图形化金属,对准并焊接,实现共面波导微米LED的制备。
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