[发明专利]一种外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法

摘要

本发明一种外延前硼注入复合双层外延的n‑MOSFET制备方法，在结衬底材料选定后、外延工艺实施前，先进行与p型岛光刻与硼注入，之后进行缓冲层外延和耐压层外延；后继工艺与常规功率MOSFET制备相同；p型岛注入窗口尺寸及硼注入剂量严格控制，保证器件导通态时处于单极模式情况下；同时在器件处于阻断态时，p型岛对缓冲层‑衬底高低结附近电场有调节作用，改善高低结附近电场分布，提高器件单粒子烧毁阈值。

主权项

1.一种外延前硼注入复合双层外延的n‑MOSFET制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A)选择衬底：衬底为晶向的重掺杂n++型硅衬底，衬底掺杂杂质为砷或者；B)p型岛光刻：在重掺杂n++型衬底层上先进行岛注入光刻，光刻窗口为条形或方形，窗口宽度为0.5微米到2微米；C)p型岛硼带胶注入：带胶进行p型岛硼注入，硼注入的剂量为1×1013cm‑2到1×1014cm‑2之间，注入能量在50keV到180keV之间；注入完成时，p型岛初始位置位于在n++衬底；D)芯片清洗，n+型缓冲层外延：缓冲层浓度在3×1015cm‑3到5×1016cm‑3之间，缓冲层厚度在10‑20微米之间。E)漂移区外延：外延浓度与厚度由器件耐压决定；F)之后表面MOS结构、背面减薄及电极制备工艺与按常规MOSFET工艺流程进行，最终p型岛最终位置位于缓冲层。