[发明专利]一种自对准异质结双极型晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810352890.0 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108400163B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚 | 申请（专利权）人： | 苏州闻颂智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自对准异质结双极型晶体管及其制造方法，能够避免E‑B短路，提升射频特性。一种自对准异质结双极型晶体管，包括：基区层；第一发射区层，形成于基区层上表面；发射极结构，形成于第一发射区层上表面，发射极结构包括上下设置的发射极阻挡层及发射极接触层；及基极金属层；自对准异质结双极性晶体管还包括：发射极钝化边沿结构，形成于发射极结构侧部及第一发射区层的上表面，发射极钝化边沿结构环绕发射极结构设置；基极金属层包括形成于基区层上表面的第一基极金属层和形成于发射极结构上表面的第二基极金属层，第一基极金属层设于发射极钝化边沿结构的侧方以通过发射极钝化边沿结构将发射极接触层和第一基极金属层间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 异质结双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自对准异质结双极型晶体管，包括：基区层；第一发射区层，形成于所述基区层上表面；发射极结构，形成于所述第一发射区层上表面，所述发射极结构包括上下设置的发射极阻挡层及发射极接触层；及基极金属层；其特征在于，所述自对准异质结双极性晶体管还包括：发射极钝化边沿结构，形成于所述第一发射区层的与所述基区层的外基区相对应的区域上，所述发射极钝化边沿结构位于所述发射极结构侧部及所述第一发射区层的上表面，所述发射极钝化边沿结构环绕所述发射极结构设置；所述基极金属层包括形成于所述基区层上表面的第一基极金属层和形成于所述发射极结构上表面的第二基极金属层，所述第一基极金属层设于所述发射极钝化边沿结构的侧方以通过所述发射极钝化边沿结构将所述发射极接触层和所述第一基极金属层间隔。
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