[发明专利]平均磨损方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置有效
| 申请号： | 201810352992.2 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110389708B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 陈国荣 | 申请（专利权）人： | 群联电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于可复写式非易失性存储器模块的平均磨损方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理抹除单元。此方法包括：记录该些物理抹除单元的每一个物理抹除单元的操作值；记录该些物理抹除单元的每一个物理抹除单元的使用时态值；以及根据该些物理抹除单元的操作值及该些物理抹除单元的使用时态值从该些物理抹除单元之中选择出第一物理抹除单元与第二物理抹除单元且将存储于第一物理抹除单元的有效数据复制到第二物理抹除单元中。 | ||
| 搜索关键词： | 平均 磨损 方法 存储器 控制电路 单元 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种平均磨损方法，其特征在于，用于可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理抹除单元，所述平均磨损方法包括：记录所述多个物理抹除单元的每一个物理抹除单元的操作值，其中所述多个操作值用以反应所述多个物理抹除单元的绝对或相对的抹除或程序化次数；记录所述多个物理抹除单元的每一个物理抹除单元的使用时态值，其中所述多个使用时态值用以反应所述多个物理抹除单元的绝对或相对的无操作时间长度；以及根据所述多个物理抹除单元的操作值及所述多个物理抹除单元的使用时态值从所述多个物理抹除单元之中选择出第一物理抹除单元与第二物理抹除单元且将存储于所述第一物理抹除单元的有效数据复制到所述第二物理抹除单元中。
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