[发明专利]一种AZO源漏电极透明薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810353578.3 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108493237A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 姚日晖;章红科;宁洪龙;李晓庆;张啸尘;邓宇熹;邓培淼;周尚雄;袁炜健;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/45;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于显示器件领域，公开了一种AZO源漏电极透明薄膜晶体管及其制备方法。将基底清洗，烘干预处理后在基底上通过等离子体增强化学气相沉积制备ITO栅极和Si3N4栅极绝缘层；在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；然后使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；最后在室温下使用脉冲激光沉积AZO源漏电极，得到AZO源漏电极透明薄膜晶体管。本发明通过激光脉冲沉积室温制备AZO源漏电极，在降低薄膜电阻率的同时且兼有优良的透明度，极大地提高了TFT的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏电极 透明薄膜晶体管 制备 栅极绝缘层 半导体层 等离子体增强化学气相沉积 磁控溅射沉积 激光脉冲沉积 脉冲激光沉积 射频磁控溅射 薄膜电阻率 烘干预处理 基底清洗 脉冲直流 器件性能 室温制备 显示器件 修饰层 基底 沉积 半导体 透明度 | ||
【主权项】：
1.一种AZO源漏电极透明薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)将基底清洗，烘干预处理；(2)在预处理后的基底上通过等离子体增强化学气相沉积制备ITO栅极和Si3N4栅极绝缘层；(3)在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；(4)使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；(5)室温下使用脉冲激光沉积AZO源漏电极，得到AZO源漏电极透明薄膜晶体管。
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