[发明专利]一种AZO透明栅极薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810354086.6 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108649074A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 姚日晖;章红科;宁洪龙;李晓庆;张啸尘;邓宇熹;邓培淼;周尚雄;袁炜健;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于显示器件领域，公开了一种AZO透明栅极薄膜晶体管及其制备方法。将基底清洗，烘干预处理后通过脉冲激光沉积制备AZO栅极；在AZO栅极上使用射频磁控溅射沉积制备Al2O3栅极绝缘层；在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；在300～350℃的温度下，对器件进行热退火处理；使用直流溅射沉积Al源漏电极，得到AZO透明栅极薄膜晶体管。本发明通过激光脉冲沉积制备AZO栅极，在降低薄膜电阻率的同时且兼有优良的透明度，极大地提高了TFT的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜晶体管 透明栅极 射频磁控溅射 栅极绝缘层 半导体层 沉积 磁控溅射沉积 激光脉冲沉积 脉冲激光沉积 直流溅射沉积 薄膜电阻率 烘干预处理 基底清洗 脉冲直流 器件性能 显示器件 漏电极 热退火 修饰层 半导体 透明度 | ||
【主权项】：
1.一种AZO透明栅极薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)将基底清洗，烘干预处理；(2)在预处理后的基底上通过脉冲激光沉积制备AZO栅极；(3)在AZO栅极上使用射频磁控溅射沉积制备Al2O3栅极绝缘层；(4)在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；(5)使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；(6)在300～350℃的温度下，对器件进行热退火处理；(7)使用直流溅射沉积Al源漏电极，得到AZO透明栅极薄膜晶体管。
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