[发明专利]基于漏磁信号的缺陷轮廓反演方法有效

专利信息
申请号: 201810354589.3 申请日: 2018-04-19
公开(公告)号: CN108615234B 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 黄松岭;彭丽莎;赵伟;王珅;邹军;汪芙平;龙跃;桂林;董甲瑞;于歆杰;黄紫靖 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G06T7/00 分类号: G06T7/00;G06T7/13;G06F30/23
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张润
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于漏磁信号的缺陷轮廓反演方法,包括:获取待求解的目标缺陷漏磁信号;通过边缘检测得到目标缺陷漏磁信号对应的缺陷开口轮廓形状;得到N个沿垂直于磁化方向排列的矩形;构成N个长方体的子缺陷;获取各子缺陷对应的缺陷漏磁信号;对各子缺陷对应的缺陷漏磁信号进行位移变换操作;得到在当前预测深度序列下的预测缺陷漏磁信号;获取预测缺陷漏磁信号与目标缺陷漏磁信号的误差,且在误差大于或等于预设阈值时,更新当前预测深度序列,并返回步骤S5继续迭代,否则停止迭代,当前预测深度序列作为最终反演的缺陷深度序列;得到最终反演的缺陷轮廓。该方法大大减少了计算时间,具有计算模型简单,计算速度快、精度高等优点。
搜索关键词: 基于 信号 缺陷 轮廓 反演 方法
【主权项】:
1.一种基于漏磁信号的缺陷轮廓反演方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:获取待求解的目标缺陷漏磁信号;步骤S2:通过边缘检测得到所述目标缺陷漏磁信号对应的缺陷开口轮廓形状;步骤S3:将所述缺陷开口轮廓形状进行近似划分操作,以得到N个沿垂直于磁化方向排列的矩形;步骤S4:对所述N个沿垂直于磁化方向排列的矩形设置初始的预测深度,以构成N个长方体的子缺陷;步骤S5:根据所述N个长方体的子缺陷对缺陷漏磁信号数据库的数据进行索引操作,以获取各子缺陷对应的缺陷漏磁信号;步骤S6:对所述各子缺陷对应的缺陷漏磁信号进行位移变换操作;步骤S7:对位移变换后的所述各子缺陷对应的缺陷漏磁信号进行组合操作,以得到在当前预测深度序列下的预测缺陷漏磁信号;步骤S8:获取所述预测缺陷漏磁信号与所述目标缺陷漏磁信号的误差,且在所述误差大于或等于预设阈值时,更新所述当前预测深度序列,并返回所述步骤S5继续迭代,否则停止迭代,所述当前预测深度序列作为最终反演的缺陷深度序列;以及步骤S9:根据所述缺陷开口轮廓和所述最终反演的缺陷深度序列得到最终反演的缺陷轮廓。
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