[发明专利]半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 201810355437.5 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN109216258A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 黄建修;黄彦钧;唐邦泰;彭治棠;黄泰钧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例为有关于半导体装置以及制造方法，特别为在沟槽中具有增强的间隙填充层的半导体装置。本公开实施例提供通过使用多步骤沉积和原位处理工艺形成的新颖的间隙填充层。沉积工艺可为通过使用一种或多种辅助气体以及低反应性粘附系数(RSC)分子的流动式化学气相(FCVD)沉积。处理工艺可为在沉积工艺之后的原位工艺，且包含将沉积的间隙填充层暴露于等离子体活化辅助气体，辅助气体可由氨形成。低反应性粘附系数分子可由三硅烷胺(TSA)或全氢聚硅氮烷(PHPS)形成。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 间隙填充层 辅助气体 半导体装置 低反应性 粘附 等离子体活化 全氢聚硅氮烷 半导体结构 处理工艺 原位处理 原位工艺 硅烷胺 流动式 制造 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制造方法，包括:在该半导体结构中形成一凹口，其中该凹口包括一侧壁和一底表面；使用一化学气相沉积工艺在该侧壁和该底表面上沉积一氮化硅间隙填充层，其中该化学气相沉积工艺使用一低反应性粘附系数分子以及一第一组辅助气体；以及在该氮化硅间隙填充层上进行一处理工艺，其中该处理工艺包括将该氮化硅间隙填充层暴露于一第二组辅助气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
