[发明专利]一种氢键连接的多孔铜配位聚合物及其制备方法有效
| 申请号： | 201810356009.4 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108440769B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 方向东;王思雨;淡文彦 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00;B01J20/26;B01J20/28;B01J20/30 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种氢键连接的多孔铜配位聚合物及其制备方法，该配位聚合物化学式为[Cu(apc) |
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| 搜索关键词： | 一种 氢键 连接 多孔 配位聚合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氢键连接的多孔铜配位聚合物，其特征在于，分子式为[Cu(apc)2]n，式中，apc为2‑氨基嘧啶‑5‑羧酸根。
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