[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810356741.1 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN108321209B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括氧化物半导体层的晶体管可以具有稳定的电特性。另外，提供包括上述晶体管的高可靠性的半导体装置。半导体装置包括包含氧化物层和氧化物半导体层的多层膜、与多层膜接触的栅极绝缘膜及隔着栅极绝缘膜与多层膜重叠的栅电极。在半导体装置中，氧化物半导体层包含铟，氧化物半导体层与氧化物层接触，并且氧化物层包含铟且具有比氧化物半导体层大的能隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：衬底上的第一氧化物层；所述第一氧化物层上的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层上的第二氧化物层；都与所述氧化物半导体层电连接的源电极和漏电极；所述第二氧化物层、所述源电极和所述漏电极上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的栅电极；所述栅电极上的第一保护绝缘膜；和所述第一保护绝缘膜上的第二保护绝缘膜，其中所述第一保护绝缘膜包含氧化硅或氧氮化硅，以及其中所述第二保护绝缘膜包含氧化硅或氧氮化硅且通过加热处理可以释放氧。
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