[发明专利]一种基于OLED的光电传感器的垂直集成结构有效

专利信息
申请号: 201810358409.9 申请日: 2018-04-19
公开(公告)号: CN108735782B 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 王凯;许忆彤 申请(专利权)人: 佛山市顺德区中山大学研究院;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 左恒峰
地址: 528399 广东省佛山市顺德区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于OLED的光电传感器垂直集成结构,包括驱动单个OLED像素单元的OLED驱动电路,所述OLED驱动电路包括多晶硅双栅薄膜晶体管,所述多晶硅双栅薄膜晶体管作为显示选址开关TFT与显示驱动TFT连接,所述多晶硅双栅薄膜晶体管的顶栅集成了使所述多晶硅双栅薄膜晶体管工作于亚阈值区域的光电传感器从而构成有源像素图像传感器,所述光电传感器设置于OLED像素单元的非显示区域中,所述多晶硅双栅薄膜晶体管设置于所述光电传感器的下方。通过垂直集成保持了OLED像素单元的开口率,不影响屏幕的显示性能,同时采用有源像素图像传感器对信号进行内部放大,提高了屏下进行光电探测的灵敏度和信噪比。
搜索关键词: 一种 基于 oled 光电 传感器 垂直 集成 结构
【主权项】:
1.一种基于OLED的光电传感器的垂直集成结构,包括驱动单个OLED像素单元的OLED驱动电路,其特征在于:所述OLED驱动电路包括多晶硅双栅薄膜晶体管,所述多晶硅双栅薄膜晶体管作为显示选址开关TFT与显示驱动TFT连接,所述多晶硅双栅薄膜晶体管的顶栅集成了使所述多晶硅双栅薄膜晶体管工作于亚阈值区域的光电传感器从而构成有源像素图像传感器,所述光电传感器设置于OLED像素单元的非显示区域中,所述多晶硅双栅薄膜晶体管设置于所述光电传感器的下方。
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