[发明专利]一种基于OLED的光电传感器的垂直集成结构有效
申请号: | 201810358409.9 | 申请日: | 2018-04-19 |
公开(公告)号: | CN108735782B | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 王凯;许忆彤 | 申请(专利权)人: | 佛山市顺德区中山大学研究院;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 左恒峰 |
地址: | 528399 广东省佛山市顺德区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于OLED的光电传感器垂直集成结构,包括驱动单个OLED像素单元的OLED驱动电路,所述OLED驱动电路包括多晶硅双栅薄膜晶体管,所述多晶硅双栅薄膜晶体管作为显示选址开关TFT与显示驱动TFT连接,所述多晶硅双栅薄膜晶体管的顶栅集成了使所述多晶硅双栅薄膜晶体管工作于亚阈值区域的光电传感器从而构成有源像素图像传感器,所述光电传感器设置于OLED像素单元的非显示区域中,所述多晶硅双栅薄膜晶体管设置于所述光电传感器的下方。通过垂直集成保持了OLED像素单元的开口率,不影响屏幕的显示性能,同时采用有源像素图像传感器对信号进行内部放大,提高了屏下进行光电探测的灵敏度和信噪比。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 oled 光电 传感器 垂直 集成 结构 | ||
【主权项】:
1.一种基于OLED的光电传感器的垂直集成结构,包括驱动单个OLED像素单元的OLED驱动电路,其特征在于:所述OLED驱动电路包括多晶硅双栅薄膜晶体管,所述多晶硅双栅薄膜晶体管作为显示选址开关TFT与显示驱动TFT连接,所述多晶硅双栅薄膜晶体管的顶栅集成了使所述多晶硅双栅薄膜晶体管工作于亚阈值区域的光电传感器从而构成有源像素图像传感器,所述光电传感器设置于OLED像素单元的非显示区域中,所述多晶硅双栅薄膜晶体管设置于所述光电传感器的下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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