[发明专利]发光二极管阵列

摘要

本发明提供一发光二极管阵列，包括一第一发光二极管、一第二发光二极管及一第二隔绝道；该第一发光二极管包括一第一区域、一第二区域、一第一隔绝道及一电极连接层；该第一隔绝道位于该第一区域与该第二区域之间，且包括一电极绝缘层；该电极连接层包覆该第一区域；该第二发光二极管包括一半导体叠层及一第二电性焊接垫；该第二电性焊接垫位于该半导体叠层之上；该第二隔绝道位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间，且包括一电性连接结构电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：半导体叠层，包含一第一区域和一第二区域，该第二区域具有一第一侧壁；第一隔绝道，形成于该第一区域和该第二区域之间；第二隔绝道，形成于该半导体叠层之中；绝缘层，形成于该第一隔绝道内并覆盖该第一侧壁，电性连接层，位于该半导体叠层之下；以及电极连接层，直接接触该电性连接层。