[发明专利]一种基于硫化钽薄膜的测辐射热计及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201810359376.X | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108458789A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 谢黎明;刘海宁;吴娟霞;王新胜 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于硫化钽薄膜的测辐射热计及其制备方法和用途，所述测辐射热计包括硫化钽薄膜、支撑电极和读出电路，其中硫化钽薄膜悬空放置于支撑电极上，支撑电极与读出电路连接。本发明中所述硫化钽薄膜通过低压化学气相沉积方法在基底上生长并通过湿法转移去掉基底成为悬空薄膜；所述硫化钽薄膜位于支撑电极之上，吸收热辐射使自身温度发生改变，所述硫化钽薄膜作为热敏材料具备极高的电阻温度系数，可在读出电路中测出电路的阻值变化，从而可用于红外探测、红外成像、热成像等。 | ||
| 搜索关键词： | 钽薄膜 硫化 支撑电极 测辐射热计 读出电路 基底 制备 低压化学气相沉积 电阻温度系数 吸收热辐射 红外成像 红外探测 热敏材料 悬空薄膜 悬空放置 阻值变化 热成像 可用 湿法 电路 生长 | ||
【主权项】：
1.一种测辐射热计，其特征在于，所述测辐射热计包括硫化钽薄膜、支撑电极和读出电路，其中硫化钽薄膜悬空放置于支撑电极上，支撑电极与读出电路连接。
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