[发明专利]一种半导体的显示方法有效
申请号: | 201810362411.3 | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN108538858B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 肖淑敏;高翊盛;张靖;宋清海 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 | 代理人: | 罗志伟 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体的显示方法,主要由半导体制成的超表面的结构颜色与半导体在受激辐射下产生的本征颜色混合产生,通过调控入射白光以及激发的强度改变两种颜色的混合比,进而产生不同的颜色。本发明还提供了一种半导体的制备方法。本发明的有益效果是:利用超表面的结构颜色与半导体本身发光的本征颜色调色的交错机制之间的协同作用,使得其能够在室内环境下以大约纳秒级的转换时间在大范围内进行颜色调整,实现了原位控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 显示 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体的显示方法,其特征在于:主要由半导体制成的超表面的结构颜色与半导体在受激辐射下产生的本征颜色混合产生,通过调控入射白光以及激发的强度改变两种颜色的混合比,进而产生不同的颜色。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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