[发明专利]一种单片集成三轴加速度传感器及其制作工艺在审
| 申请号： | 201810362459.4 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN109856425A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 赵晓锋;王颖;温殿忠 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | G01P15/18 | 分类号： | G01P15/18;G01P15/08;G01P15/12 |
| 代理公司： | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426 | 代理人： | 马营营;刘冬梅 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片集成三轴加速度传感器及其制作工艺，其中，采用微电子机械加工技术方法，利用4个双L型梁、两个质量块、中间双梁作为弹性元件，所述两个质量块将感受的加速度信息(ax、ay、az)转换为弹性元件形变，引起所述由弹性元件根部12个压敏电阻构成的3个惠斯通电桥结构输出电信号发生变化，可分别实现三个方向加速度(ax、ay、az)检测；并且，通过优化4个双L型梁和两个质量块、中间双梁尺寸，优选后三个检测电路检测对应加速度具有较好一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 弹性元件 质量块 三轴加速度传感器 单片集成 制作工艺 双梁 微电子机械加工技术 惠斯通电桥结构 加速度信息 检测电路 压敏电阻 形变 检测 优选 输出 转换 优化 | ||
【主权项】：
1.一种单片集成三轴加速度传感器，其特征在于，所述传感器以SOI片为载体，所述SOI片包括器件硅(1)和衬底硅(2)，其中，在所述传感器的中心刻蚀有悬空结构，所述悬空结构包括第一质量块(m1)、第二质量块(m2)、第一中间梁(ZL1)、第二中间梁(ZL2)和四个L型梁，其中，对所述四个L型梁沿纵向进行拆分，形成八个L小梁，分别为第一L小梁(L1)、第二L小梁(L2)、第三L小梁(L3)、第四L小梁(L4)、第五L小梁(L5)、第六L小梁(L6)、第七L小梁(L7)和第八L小梁(L8)。
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