[发明专利]CMOS型LTPS TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种CMOS型LTPS TFT基板的制作方法，通过一道半透光光罩在第二多晶硅有源层需进行P型离子重掺杂的区域上方形成第二光阻图案的第二光阻段作为保护层，在对第一多晶硅有源层进行N型离子重掺杂时，能够有效阻挡N型离子植入第二多晶硅有源层设置的第二源漏极接触区中，相比于现有技术，后续在对第二多晶硅有源层进行P型离子重掺杂以形成第二源漏极接触区时，无需额外补偿P型离子，降低了P型离子重掺杂制程的产能损失，N型离子重掺杂制程无法对PMOS晶体管产生影响，提高了PMOS晶体管电性的收敛性，同时又因减少了对第二多晶硅有源层的离子植入次数，降低了离子植入对薄膜晶格结构的破坏，提高了器件的稳定性。

主权项

1.一种CMOS型LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供基板(10)，在所述基板(10)上形成缓冲层(20)，在所述缓冲层(20)上形成相互间隔的第一多晶硅有源层(31)以及第二多晶硅有源层(32)，在所述缓冲层(20)上形成覆盖第一多晶硅有源层(31)和第二多晶硅有源层(32)的栅极绝缘层(40)，在所述栅极绝缘层(40)上沉积金属层(50)，在所述金属层(50)上涂覆光阻，并通过一道半透光光罩对该光阻进行曝光显影处理，形成对应位于第一多晶硅有源层(31)中部上方的第一光阻图案(91)和在第二多晶硅有源层(32)上方完全遮盖第二多晶硅有源层(32)的第二光阻图案(92)；所述第二光阻图案(92)具有位于中间的第一光阻段(921)及与第一光阻段(921)两侧相连的厚度小于第一光阻段(921)的第二光阻段(922)；步骤S2、以所述第一光阻图案(91)和第二光阻图案(92)为遮蔽层，对所述金属层(50)进行第一次蚀刻形成位于第一多晶硅有源层(31)中部上方的第一准栅极(51’)和位于第二多晶硅有源层(32)上方完全遮盖第二多晶硅有源层(32)的第二准栅极(52’)；步骤S3、以所述第一光阻图案(91)为遮蔽层，对所述第一多晶硅有源层(31)进行N型离子重掺杂，形成第一多晶硅有源层(31)两端的第一源漏极接触区(311)；步骤S4、对所述第一光阻图案(91)和第二光阻图案(92)进行灰化处理，减薄所述第一光阻图案(91)和第二光阻图案(92)的厚度，使得第一光阻图案(91)以及第二光阻图案(92)的第一光阻段(921)的厚度减少，而第二光阻图案(92)的第二光阻段(922)被去除掉而露出第二多晶硅有源层(32)的两端；步骤S5、对所述金属层(50)进行第二次蚀刻，使所述第一准栅极(51’)两侧被横向蚀刻而宽度减小，由第一准栅极(51’)得到第一栅极(51)，由第二准栅极(52’)得到对应位于第二多晶硅有源层(32)中部上方的第二栅极(52)，剥离去除剩余的第一光阻图案(91)和第二光阻图案(92)；步骤S6、以所述第一栅极(51)为遮蔽层，对所述第一多晶硅有源层(31)进行N型离子轻掺杂，得到第一多晶硅有源层(31)中部的对应位于所述第一栅极(51)下方的第一沟道区(312)以及所述第一源漏极接触区(311)和第一沟道区(312)之间的第一LDD区(313)；步骤S7、在所述栅极绝缘层(40)和第一栅极(51)上形成遮盖第一多晶硅有源层(31)的光阻保护层(95)，以所述第二栅极(52)为遮蔽层，对所述第二多晶硅有源层(32)两端没有被第二栅极(52)遮盖的部分进行P型离子重掺杂，形成第二多晶硅有源层(32)两端的第二源漏极接触区(321)及第二多晶硅有源层(32)中部的对应位于所述第二栅极(52)下方的第二沟道区(322)，去除所述光阻保护层(95)。