[发明专利]暗区次像素有效

专利信息
申请号: 201810365912.7 申请日: 2015-07-08
公开(公告)号: CN108650475B 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 涂瑞玲;林炜绩 申请(专利权)人: 原相科技股份有限公司
主分类号: H04N5/357 分类号: H04N5/357;H04N5/361
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李兰;孙志湧
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提出一种暗区次像素,适于用于一图像像素,该暗区次像素包含:一第一电流传导元件,一第一开关及一第一电容,彼此在一供应电源与一参考电压位准之间串联;一第一晶体管及一第二开关,彼此在该供应电源与一共同输出节点之间串联,该第一晶体管所具有的一控制端与该第一电容的一高电压端耦接;一第二电流传导元件,一第三开关及一第二电容,彼此在该供应电源与该参考电压位准之间串联;一第二晶体管及一第四开关,彼此在该供应电源与该共同输出节点之间串联,该第二晶体管所具有的一控制端与该第二电容的一高电压端耦接;以及一第三电流传导元件,与该共同输出节点耦接。
搜索关键词: 供应电源 电容 晶体管 电流传导元件 串联 输出节点 次像素 暗区 耦接 参考电压 高电压端 控制端 位准 第一开关 图像像素
【主权项】:
1.一暗区次像素,适于用于一图像像素,其特征在于,该暗区次像素包含:一第一电流传导元件,一第一开关及一第一电容,彼此在一供应电源与一参考电压位准之间串联;一第一晶体管及一第二开关,彼此在该供应电源与一共同输出节点之间串联,该第一晶体管所具有的一控制端与该第一电容的一高电压端耦接;一第二电流传导元件,一第三开关及一第二电容,彼此在该供应电源与该参考电压位准之间串联;一第二晶体管及一第四开关,彼此在该供应电源与该共同输出节点之间串联,该第二晶体管所具有的一控制端与该第二电容的一高电压端耦接;以及一第三电流传导元件,与该共同输出节点耦接,其中,在一第一时间内,当该第一开关是通路的,与该供应电源相关的一第一供应电源信息被储存于该第一电容;其中,当该第二开关是通路的,储存于该第一电容的该第一供应电源信息经由该共同输出节点而被输出;其中,在一第二时间内,当该第三开关是通路的,与该供应电源相关的一第二供应电源信息被储存于该第二电容;其中,当该第四开关是通路的,储存于该第二电容的该第二供应电源信息经由该共同输出节点而被输出;其中,在该第二时间内以及当储存于该第二电容的该第二供应电源信息经由该共同输出节点而被输出时,储存于该第一电容的该第一供应电源信息没有被重置,因而该第一供应电源信息维持不变。
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