[发明专利]制造半导体显示装置的方法有效
| 申请号： | 201810366161.0 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108873446B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 谢於叡;陈柏男 | 申请（专利权）人： | 奇景光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1335 | 分类号： | G02F1/1335;G03F7/00;G03F7/095 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制造半导体显示装置的方法，包含：提供半导体基板；在半导体基板上形成第一光致抗蚀剂结构；在半导体基板上形成覆盖第一光致抗蚀剂结构的第二光致抗蚀剂结构；在半导体基板上形成覆盖第一光致抗蚀剂结构及第二光致抗蚀剂结构的第三光致抗蚀剂结构；进行第一回蚀刻制作工艺以去除第三光致抗蚀剂结构的位于第二光致抗蚀剂结构的顶部表面之上的第一部分；以及进行第二回蚀刻制作工艺以去除第二光致抗蚀剂结构的位于第一光致抗蚀剂结构的顶部表面之上的部分及第三光致抗蚀剂结构的位于第一光致抗蚀剂结构的顶部表面之上的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 显示装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体显示装置的方法，其特征在于，该方法包含：提供一半导体基板；在该半导体基板上形成一第一光致抗蚀剂结构；在该半导体基板上形成覆盖该第一光致抗蚀剂结构的一第二光致抗蚀剂结构；在该半导体基板上形成覆盖该第一光致抗蚀剂结构及该第二光致抗蚀剂结构的一第三光致抗蚀剂结构；进行一第一回蚀刻制作工艺以去除该第三光致抗蚀剂结构的位于该第二光致抗蚀剂结构的一顶部表面之上的一第一部分；以及进行一第二回蚀刻制作工艺以去除该第二光致抗蚀剂结构的位于该第一光致抗蚀剂结构的一顶部表面之上的一部分及该第三光致抗蚀剂结构的位于该第一光致抗蚀剂结构的该顶部表面之上的一第二部分。
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