[发明专利]一种以c轴取向的AlN薄膜为传感器的测温方法有效
| 申请号： | 201810366196.4 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108613754B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 蒋洪川;闫帅;王洪敏;赵晓辉;张万里;李杨;赵丽君;熊兵;田晓宇;俞一冰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01K11/30 | 分类号： | G01K11/30 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种以c轴取向的AlN薄膜为传感器的测温方法，包括：(1)以c轴取向的AlN薄膜作为测温传感器，进行不同温度T下的等时退火处理后，再分别测试退火后薄膜的衍射峰半高宽F，得到F‑T标准曲线；(2)将同一批次的AlN薄膜埋设于被测热端部件的表层或表面，并随含被测热端部件的工作系统进行高温运转；(3)取出高温运转后的薄膜，测试其半高宽，通过对比F‑T标准曲线，得到与该衍射峰半高宽值相对应的温度值，即为被测热端部件的最高工作温度。本发明方法简单，无需引线及复杂测试设备，无需现场判读，可用于400～1000℃高温工作区间的温度测试，尤其适用于异型结构部件及高速旋转的测试环境下被测部件温度的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 热端部件 半高宽 标准曲线 高温运转 衍射峰 传感器 测温 薄膜 退火 复杂测试设备 测温传感器 测试 被测部件 测试环境 工作区间 工作系统 退火处理 温度测试 异型结构 等时 可用 判读 埋设 取出 测量 | ||
【主权项】：
1.一种以c轴取向的AlN薄膜为传感器的测温方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、制备c轴取向的AlN薄膜作为测温传感器，然后对c轴取向的AlN薄膜进行不同温度下的等时退火处理，同时记录退火温度T；然后通过XRD技术测试经退火处理后的AlN薄膜的(002)面的衍射峰半高宽F，以衍射峰半高宽F为纵坐标，退火温度T为横坐标，得到该批次的AlN薄膜的衍射峰半高宽F随退火温度T变化的曲线，称为F‑T标准曲线；步骤2、将同一批次的未经退火处理的c轴取向的AlN薄膜埋设于被测热端部件的表层或表面，并随含被测热端部件的工作系统进行高温运转；步骤3、取出步骤2高温运转后的AlN薄膜，并采用XRD技术测试其(002)面的衍射峰半高宽F，通过与步骤1得到的F‑T标准曲线对比，找出该衍射峰半高宽值相对应的温度值，即为被测热端部件的最高工作温度。
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