[发明专利]通过水解离进行太阳能制氢的混合装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810366607.X | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108630777B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 理查德·内策尔;周国富 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;C25B1/04;C25B11/04 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 唐致明 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种将光电阳极与商用硅光伏电池单片集成的混合装置，商用硅光伏电池包括p型硅层和n型硅层，其中p型硅层和n型硅层均具有对应于硅晶体的(100)晶面的主暴露表面，光电阳极包括在p型硅层的(100)晶面上生成的SiNx中间层，在SiNx中间层上外延生长的c面InGaN层，以及在所述InGaN层的暴露表面上生成的InN量子点。该混合装置能够在被可见光或紫外光照射时将水分解成氢和氧。本发明还涉及制造该混合装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 混合装置 暴露表面 光电阳极 中间层 硅光 商用 太阳能制氢 紫外光照射 可见光 电池单片 外延生长 硅晶体 量子点 水分解 水解离 制造 电池 | ||
【主权项】：
1.一种将光电阳极与商用硅光伏电池(10)单片集成的混合装置，其特征在于：所述商用硅光伏电池(10)包括p型硅层(11)和n型硅层(12)，其中所述p型硅层(11)和n型硅层(12)均具有对应于硅晶体的(100)晶面的主暴露表面，所述光电阳极包括在所述p型硅层(11)的(100)晶面上生成的SiNx中间层(13)，在SiNx中间层(13)上外延生长的c面InGaN层(14)，以及在所述InGaN层(14)的暴露表面上生成的InN量子点(15)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
