[发明专利]高di/dt光控晶闸管封装结构及封装方法

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种适用于脉冲功率应用光控晶闸管的封装结构及封装方法。本发明的光控晶闸管封装结构包括芯片槽、与芯片槽一体的阴极电极金属外壳、四个阴极引脚通过环形绝缘层固定、用于器件密封的金属盖板，以及金属盖板中部透光性好且面积可调的光触发窗口。本发明的金属管壳可以做独立的阳极电极使用，以贴片的形式焊接的在电路中；本封装所具有的四管脚结构可以满足现代脉冲功率应用对光控晶闸管电流运载能力的要求；与传统光控晶闸管封装形式相比较本发明具有更大的光触发窗口、散热能力强、体积小且面积可调，而且金属制成的外管壳尺寸较小，可以实现高功率器件的大芯片小封装。

主权项

1.高di/dt光控晶闸管封装结构，包括金属管壳(2)，所述金属管壳(2)中部挖有芯片槽(1)；所述金属管壳(2)下方具有与芯片槽(1)连接的通孔，通孔中填充有环形绝缘层(3)；其特征在于，所述通孔为4个，相对应的还包括四个阴极引脚(4)，每个阴极引脚(4)从金属管壳(2)外部穿过1个填充有环形绝缘层(3)的通孔并延伸至芯片槽(1)中；还包括金属盖板(5)，所述金属盖板(5)用于部分覆盖芯片槽(1)，金属盖板(5)与金属管壳(2)形成密封连接；在所述金属盖板(5)的中部，具有部分透光性好的光触发窗口(6)，光触发窗口(6)与金属盖板(5)内边缘形成无缝连接；所述金属管壳(2)用于作为独立的阳极电极；所述芯片槽(1)的面积为0.1～5cm2。