[发明专利]异质结碳化硅的绝缘栅极晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201810367790.5 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108400164B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 冯宇翔;甘弟 | 申请（专利权）人： | 广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/16;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 528311 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提出了异质结碳化硅的绝缘栅极晶体管及其制作方法。该异质结碳化硅绝缘栅极晶体管包括：漂移区；P阱区，设置在漂移区的一侧；N |
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| 搜索关键词： | 异质结 碳化硅 绝缘 栅极 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种异质结碳化硅的绝缘栅极晶体管，其特征在于，包括：漂移区；P阱区，所述P阱区设置在所述漂移区的一侧；N+发射极层，所述N+发射极层设置在所述P阱区远离所述漂移区的一侧；沟槽，所述沟槽开设在所述N+发射极层、所述P阱区和所述漂移区内，且贯穿所述N+发射极层和所述P阱区；沟槽氧化层，所述沟槽氧化层设置在所述沟槽中，且覆盖所述沟槽的表面；多晶硅栅极，所述多晶硅栅极填充在所述沟槽氧化层远离所述漂移区的一侧；其中，所述N+发射极层由4H‑SiC形成，所述P阱区由6H‑SiC形成。
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