[发明专利]异质薄膜复合结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种异质薄膜复合结构及制备方法，制备包括：提供键合衬底，具有离子注入面；于离子注入面进行离子注入，以在键合衬底的预设深度处形成缺陷层；提供支撑衬底，且具有刻蚀面，自刻蚀面刻蚀支撑衬底，以在支撑衬底上形成凹槽结构；将离子注入面与刻蚀面进行键合；沿缺陷层剥离部分键合衬底，使键合衬底的一部分转移至支撑衬底上，获得表面无泡且低应力异质薄膜复合结构。本发明在支撑衬底上光刻凹槽结构，增加了键合界面处气体与支撑衬底的接触面积，打开了界面气体向外界释放的通道，使界面处产生的气体更好的扩散进支撑衬底或外界环境，得到表面无泡的键合薄膜，也使转移的键合薄膜的应力得到释放，使异质薄膜结构有利于后期器件制备。

主权项

1.一种异质薄膜复合结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一键合衬底，且所述键合衬底具有离子注入面；2)于所述离子注入面进行离子注入，以在所述键合衬底的预设深度处形成缺陷层；3)提供一支撑衬底，且所述支撑衬底具有刻蚀面，自所述刻蚀面刻蚀所述支撑衬底，以在所述支撑衬底上形成凹槽结构；4)将所述键合衬底的所述离子注入面与所述支撑衬底的所述刻蚀面进行键合；5)沿所述缺陷层剥离部分所述键合衬底，以使所述键合衬底的一部分转移至所述支撑衬底上，获得所述异质薄膜复合结构，所述异质薄膜复合结构包括所述支撑衬底以及由转移至所述支撑衬底上的所述键合衬底构成的异质薄膜。