[发明专利]OLED器件有效
| 申请号： | 201810368599.2 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108598110B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 邴一飞 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;程晓 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种OLED器件，包括衬底基板、阳极层、像素定义层以及有机功能层，所述像素定义层由疏水堤坝层和亲水堤坝层组成，所述疏水堤坝层上设有呈阶梯状的多个台阶平台，所述疏水堤坝层通过所述多个台阶平台在所述阳极层上方定义出上宽下窄的像素开口区域，亲水堤坝层设于每一台阶平台的上表面上，从而在采用喷墨打印工艺制作有机功能层时，可以使形成有机功能层的油墨材料在所述像素开口区域内的膜面平整，进而能够实现有机功能层在像素开口区域内均匀成膜，有效改善OLED器件的发光均匀性并能准确控制顶发射型OLED器件的微腔效应。 | ||
| 搜索关键词： | oled 器件 | ||
【主权项】：
1.一种OLED器件，其特征在于，包括衬底基板(10)、设置于衬底基板(10)上的阳极层(21)、设于衬底基板(10)及阳极层(21)上的像素定义层(40)以及设于阳极层(21)上的有机功能层(22)；所述像素定义层(40)包括疏水堤坝层(41)，所述疏水堤坝层(41)上设有呈阶梯状的多个台阶平台(411)，所述疏水堤坝层(41)通过所述多个台阶平台(411)在所述阳极层(21)上方定义出上宽下窄的像素开口区域(45)，每一台阶平台(411)具有上表面及与上表面连接的侧面，每一台阶平台(411)的上表面上均设有亲水堤坝层(42)；所述有机功能层(22)通过喷墨打印的方式形成于所述像素开口区域(45)内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
