[发明专利]一种电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化的方法有效
| 申请号： | 201810369025.7 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108588672B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 张伟;王疆靖;田琳 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C14/06 |
| 代理公司： | 61200 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化的方法，包括：选择能够进行微观结构表征、电学性能测试或原位性能测试的衬底制备锗锑碲非晶薄膜；对制备锗锑碲非晶薄膜的衬底进行电镜样品预处理；在电镜样品中寻找锗锑碲非晶薄膜表面干净平整的区域；通过在电镜中设置辐照范围、辐照电压、辐照强度和辐照时间；在电镜中实时观测电镜样品辐照区域的晶化过程，得到满足晶化范围、晶体结构、晶粒大小的锗锑碲晶体，即完成电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化过程。本发明方法为相变材料晶化机理及相应结构性能的研究提供了实验依据。 | ||
| 搜索关键词： | 锗锑碲 辐照 晶化 电子束辐照 电镜样品 非晶薄膜 诱导 晶化过程 衬底 制备 电学性能测试 微观结构表征 预处理 晶粒 辐照区域 结构性能 晶体结构 实时观测 相变材料 性能测试 平整 研究 | ||
【主权项】：
1.一种电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化的方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：/n步骤1：选择能够进行微观结构表征、电学性能测试或原位性能测试的衬底制备锗锑碲非晶薄膜；/n步骤2：采用聚焦离子束、离子减薄或等离子清洗技术对制备锗锑碲非晶薄膜的衬底进行电镜样品预处理；/n步骤3：将预处理电镜样品置于电镜中，并在电镜样品中寻找锗锑碲非晶薄膜表面干净平整的区域；/n步骤4：在电镜中根据晶化范围设置电镜电子束的辐照范围，根据晶体结构设置电镜电子束的辐照电压，根据晶化速率设置电镜电子束的辐照强度，根据晶粒大小设置辐照时间；/n步骤5：在电镜中实时观测电镜样品辐照区域的晶化过程，得到满足晶化范围、晶体结构、晶粒大小的锗锑碲晶体，即完成电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化过程；/n所述步骤2中，对样品进行聚焦离子束、离子减薄处理后，其样品厚度应小于100nm；/n所述步骤4中，设置电镜电子束的辐照范围在0.3～5μm，得到晶化范围；/n设置200kV辐照电压诱导生成立方相锗锑碲晶粒，设置120kV电压诱导生成六方相锗锑碲晶粒；/n设置电镜电子束的辐照强度范围在1×10
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