[发明专利]多晶硅的还原生产在审
| 申请号： | 201810370079.5 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110395735A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 齐林喜;陈建宇;郝爱科;赵亮 | 申请（专利权）人： | 内蒙古盾安光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京迎硕知识产权代理事务所(普通合伙) 11512 | 代理人： | 张群峰;钱扬保 |
| 地址： | 015543 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 多晶硅的还原生产方法，包括：提供还原炉；将多个硅芯棒安装在还原炉中，控制炉内有效单位体积内硅芯生长表面面积；向还原炉中通入氢气和三氯氢硅混合气体原料；控制还原炉内温度；在硅芯棒上生长多晶硅体，控制炉内有效单位体积内最终长成的多晶硅体表面积；停止通入混合气体原料，并切换为通入氢气，直至还原炉内温度降低至预定值。 | ||
| 搜索关键词： | 还原炉 多晶硅 混合气体原料 有效单位 氢气 硅芯棒 控制炉 还原 多晶硅体 三氯氢硅 生长表面 温度降低 硅芯 生长 生产 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅的还原生产方法，包括：提供还原炉；将多个硅芯棒安装在还原炉中，使得炉内有效单位体积内硅芯生长表面面积在0.005cm2/cm3至0.060cm2/cm3之间；向还原炉中通入氢气和三氯氢硅混合气体原料；控制还原炉内温度在1100℃左右；在硅芯棒上生长多晶硅体，直至炉内有效单位体积内最终长成的多晶硅体表面积达到0.08cm2/cm3至0.30cm2/cm3之间；停止通入混合气体原料，并切换为通入氢气，直至还原炉内温度降低至800℃左右。
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