[发明专利]存储器管理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元有效
| 申请号： | 201810371374.2 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110400593B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 林纬;刘安城;陈思玮;杨宇翔 | 申请（专利权）人： | 群联电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器管理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：将第一数据程序化至可复写式非易失性存储器模块中的多个第一记忆胞，以使经程序化的第一记忆胞具有多个状态；发送第一单阶读取指令序列以指示使用第一读取电压准位读取经程序化的第一记忆胞；根据对应于所述第一单阶读取指令序列的读取结果获得对应于所述第一读取电压准位的第一计数信息；以及根据所述第一计数信息与对应于所述第一读取电压准位的预设计数信息调整所述第一读取电压准位。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 管理 方法 储存 装置 控制电路 单元 | ||
【主权项】：
1.一种存储器管理方法，其特征在于，用于包括可复写式非易失性存储器模块的存储器储存装置，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个记忆胞，所述存储器管理方法包括：将第一数据程序化至所述多个记忆胞中的多个第一记忆胞，以使经程序化的第一记忆胞具有多个状态，其中所述多个状态分别对应于预设比特值；发送第一单阶读取指令序列以指示使用第一读取电压准位读取经程序化的第一记忆胞；根据对应于所述第一单阶读取指令序列的读取结果获得对应于所述第一读取电压准位的第一计数信息；以及根据所述第一计数信息与对应于所述第一读取电压准位的预设计数信息调整所述第一读取电压准位。
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