[发明专利]一种介孔硅酸铝锂包覆的掺杂型单晶三元正极材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810371687.8 申请日: 2018-04-24
公开(公告)号: CN108878799B 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 刘婧婧;唐盛贺;阮丁山;黄国柱;李长东 申请(专利权)人: 广东邦普循环科技有限公司;湖南邦普循环科技有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/58;H01M4/485;H01M10/0525
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 梁莹;黄磊
地址: 528244 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于锂离子电池电极材料技术领域,公开了一种介孔硅酸铝锂包覆的掺杂型单晶三元正极材料及其制备方法,具体涉及表面包覆介孔硅酸铝锂层的掺杂型单晶镍钴锰酸锂三元材料(LiNi0.55CoxMnyM1‑x‑yO2@(LiAlSi2O6)z)及其制备方法。本发明制备方法通过原位掺杂共沉淀‑高温固相法获得单晶的掺杂型镍钴锰酸锂基材,再通过模板‑溶胶/凝胶‑低温回火工艺包覆具有高速锂离子和电子通道的介孔硅酸铝锂层,制备得到掺杂型单晶镍钴锰酸锂正极材料LiNi0.55CoxMnyM1‑x‑yO2@(LiAlSi2O6)z,具有较高首次比容量185.5mAh/g、良好的高电压循环稳定性、优异的倍率性能。
搜索关键词: 一种 硅酸铝 锂包覆 掺杂 型单晶 三元 正极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种介孔硅酸铝锂包覆的掺杂型单晶三元正极材料的制备方法,其特征在于通过原位掺杂共沉淀‑高温固相法获得单晶的掺杂型镍钴锰酸锂基材,再通过模板‑溶胶/凝胶‑低温回火工艺包覆具有高速锂离子和电子通道的介孔硅酸铝锂层得到。
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