[发明专利]适用于多种储能元件的双向交错式DC/DC变换器装置在审

专利信息
申请号: 201810371750.8 申请日: 2018-04-24
公开(公告)号: CN108521218A 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 封焯文;戴秋华;朱世平;赵利会;浣威;童威;杨超;赵志华;余子鹏;高礼 申请(专利权)人: 中国能源建设集团湖南省电力设计院有限公司
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155;H02M1/14;H02J7/00
代理公司: 长沙星耀专利事务所(普通合伙) 43205 代理人: 李林凤;宁星耀
地址: 410007 湖南*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 适用于多种储能元件的双向交错式DC/DC变换器装置,包括储能元件,储能元件的输入端分别与支路上的第一电感、第二电感的一端连接,第一开关元件的发射极与第三开关元件的集电极相连,构成左桥臂;第二开关元件的发射极与第四开关元件的集电极相连,构成右桥臂;第一电感的另一端连接到左桥臂的发射极和集电极的连接处,第二电感的另一端连接到右桥臂的发射极和集电极的连接处,第一开关元件、第二开关元件的集电极分别与负载的“+”级相连,第三开关元件、第四开关元件的发射极分别与负载的“﹣”级相连,负载的“﹣”级与储能元件的输入端相连。本发明可减小纹波电流,可提高系统的动态响应。
搜索关键词: 开关元件 储能元件 发射极 集电极 电感 一端连接 第一开关 交错式 输入端 右桥臂 左桥臂 动态响应 纹波电流 减小
【主权项】:
1.一种适用于多种储能元件的双向交错式DC/DC变换器装置,其特征在于:包括储能元件、输入滤波电容、第一电感、第二电感、第一MOSFET/IGBT开关、第二MOSFET/IGBT开关、第三MOSFET/IGBT开关、第四MOSFET/IGBT开关、输出滤波电容和负载,所述储能元件的输入端分别与支路上的第一电感、第二电感的一端连接,所述第一MOSFET/IGBT开关的发射极与第三MOSFET/IGBT开关的集电极相连,第一MOSFET/IGBT开关、第三MOSFET/IGBT开关构成左桥臂;所述第二MOSFET/IGBT开关的发射极与第四MOSFET/IGBT开关的集电极相连,第二MOSFET/IGBT开关、第四MOSFET/IGBT开关构成右桥臂;所述第一电感的另一端连接到左桥臂的发射极和集电极的连接处,所述第二电感的另一端连接到右桥臂的发射极和集电极的连接处,所述第一MOSFET/IGBT开关、第二MOSFET/IGBT开关的集电极分别与负载的“+”级相连,所述第三MOSFET/IGBT开关、第四MOSFET/IGBT开关的发射极分别与负载的“﹣”级相连,负载的“﹣”级与储能元件的输入端相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国能源建设集团湖南省电力设计院有限公司,未经中国能源建设集团湖南省电力设计院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810371750.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top