[发明专利]薄膜晶体管、传感器、生物检测装置和方法有效
| 申请号： | 201810371909.6 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108847424B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 马啸尘 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G01N27/414 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李浩;王莉莉 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种薄膜晶体管、传感器、生物检测装置和方法，涉及传感器技术领域。该薄膜晶体管包括：衬底；在该衬底上的第一栅极；在该衬底上覆盖该第一栅极的第一电介质层；在该第一电介质层的背离第一栅极的一侧的源极、漏极和半导体层，该源极和该漏极分别与该半导体层连接；覆盖该半导体层的第二电介质层，该第二电介质层的材料为固态电解质材料；以及在该第二电介质层的背离半导体层的一侧的第二栅极。本公开的薄膜晶体管具有高的检测灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 传感器 生物 检测 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底；在所述衬底上的第一栅极；在所述衬底上覆盖所述第一栅极的第一电介质层；在所述第一电介质层的背离所述第一栅极的一侧的源极、漏极和半导体层，所述源极和所述漏极分别与所述半导体层连接；覆盖所述半导体层的第二电介质层，所述第二电介质层的材料为固态电解质材料；以及在所述第二电介质层的背离所述半导体层的一侧的第二栅极。
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