[发明专利]半导体装置

摘要

本发明公开了一种半导体装置，其包括第一导电型晶体管和第二导电型晶体管，其中，第一导电型和第二导电型彼此不同，第一导电型晶体管和第二导电型晶体管每一者均包括：(ⅰ)包括多个金属层的金属栅极电极，以及(ⅱ)金属栅极电极侧壁间隔部，第一导电型晶体管的金属栅极电极的侧壁与第一导电型晶体管的金属栅极电极的相对应的侧壁间隔部之间的距离大于第二导电型晶体管的金属栅极电极的侧壁与第二导电型晶体管的金属栅极电极的相对应的侧壁间隔部之间的距离，并且第一导电型晶体管的金属栅极电极的栅极长度与第二导电型晶体管的金属栅极电极的栅极长度不同。本发明可以提供具有微细结构并能够使栅极长度最优化的半导体装置。

主权项

1.一种半导体装置，其包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管每一者均包括：(i)具有沟道区域的鳍；(ii)包括多个金属层的金属栅极电极，所述金属栅极电极覆盖所述鳍的所述沟道区域，并具有沿着所述鳍在相对方向上面对的侧壁；(iii)两个外绝缘层，所述两个外绝缘层布置在所述金属栅极电极的相对侧上，使得每一所述外绝缘层邻近各自的所述侧壁；以及(iv)两个内绝缘层，每一所述内绝缘层布置在所述外绝缘层的各者和所述金属栅极电极的相应一个所述侧壁之间，其中，所述第一晶体管为第一导电型，所述第二晶体管为第二导电型，所述第二导电型不同于所述第一导电型，且所述第一晶体管的所述金属栅极电极的一个所述侧壁与所述两个外绝缘层中的邻近所述一个侧壁的一者之间的距离大于所述第二晶体管的所述金属栅极电极的所述侧壁与邻近所述一个侧壁的所述外绝缘层之间的距离。