[发明专利]聚芴衍生物、发光二极管的发光层及其制备方法有效
| 申请号： | 201810372184.2 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108912310B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 应磊;钟知鸣;彭沣;黄飞;曹镛 | 申请（专利权）人： | 华南协同创新研究院 |
| 主分类号： | C08G61/02 | 分类号： | C08G61/02;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 向玉芳 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市松*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开聚芴衍生物、发光二极管的发光层及其制备方法。本发明将S,S‑二氧‑二苯并噻吩单元的芴进行Suzuki聚合反应，得到所述侧链含S,S‑二氧‑二苯并噻吩单元或S‑氧‑二苯并噻吩单元或二苯并噻吩及其衍生物的聚芴衍生物。本发明在聚芴衍生物的侧链修饰电子传输单元，与空穴传输占主导的主链形成互补，主链并不与吸电性的S,S‑二氧‑二苯并噻吩直接共轭，使聚合物由于同时含有电子传输单元和空穴传输单元，且保持了聚合物的光谱纯度及稳定性，有利于器件效率的提高，同时具有良好的溶解性，可用于聚合物发光二极管发光层的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 衍生物 发光二极管 发光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种聚芴衍生物，其特征在于，所述聚芴衍生物的侧链含S,S‑二氧‑二苯并噻吩单元或S‑氧‑二苯并噻吩单元或二苯并噻吩及其衍生物，所述聚芴衍生物的侧链化学结构式如(I)所示：![]()
式中，x1、x2为单元组分的摩尔分数，且0
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