[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810372654.5 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN108666273B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 松本光市 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李晗;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体装置和半导体装置制造方法。所述半导体装置包括第一导电型晶体管和第二导电型晶体管，所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管每一者均包括：形成在基体上的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的金属栅极电极；以及形成在所述金属栅极电极的侧壁处的侧壁间隔部。其中，所述栅极绝缘膜由高介电常数材料制成；并且在所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管任意一者中在所述金属栅极电极的侧壁与所述侧壁间隔部的内壁之间形成有偏移间隔部，或者在所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管中形成有不同厚度的偏移间隔部。本发明可以提供具有微细结构并能够使栅极长度最优化的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括第一导电型晶体管和第二导电型晶体管，其中，所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管每一者均包括：栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在基体上；金属栅极电极，所述金属栅极电极形成在所述栅极绝缘膜上；以及侧壁间隔部，所述侧壁间隔部形成在所述金属栅极电极的侧壁处，所述栅极绝缘膜由高介电常数材料制成，并且在所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管任意一者中在所述金属栅极电极的侧壁与所述侧壁间隔部的内壁之间形成有偏移间隔部，或者在所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管中形成有不同厚度的偏移间隔部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
