[发明专利]一种多量子阱层、LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810373165.1 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108682719A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 郭佳利;郭裕彬 |
| 地址： | 517000 广东省河*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多量子阱层，由x个InGaN量子阱层与(x+1)个GaN量子垒层交替层叠组成，x≥1；InGaN量子阱层的In组分所占摩尔比例为10％‑20％；第1个GaN量子垒层的硅掺杂浓度为5×1017‑1×1019cm‑3，第2个GaN量子垒层的硅掺杂浓度为第1个GaN量子垒层的硅掺杂浓度的y倍，第i个GaN量子垒层的硅掺杂浓度为第1个GaN量子垒层硅掺杂浓度的yi‑1倍，0.5＜y＜1，1＜i≤x，第(x+1)个GaN量子垒层的硅掺杂浓度为0。本发明还公开了LED外延结构及其制备方法。本发明的多量子阱层具有渐变硅掺杂量子垒，在不使材料质量进一步恶化的前提下，能够增大量子阱内电子浓度以及调控量子阱内发光区域，从而提升LED的发光强度并改善发光波长均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 量子垒层 硅掺杂 多量子阱层 量子阱层 量子阱 制备 发光波长 发光区域 交替层叠 均匀性 量子垒 渐变 调控 恶化 | ||
【主权项】：
1.一种多量子阱层，其特征在于，由x个InGaN量子阱层与(x+1)个GaN量子垒层交替层叠组成，x≥1；InGaN量子阱层的In组分所占摩尔比例为10％‑20％；第1个GaN量子垒层的硅掺杂浓度为5×1017‑1×1019cm‑3，第2个GaN量子垒层的硅掺杂浓度为第1个GaN量子垒层的硅掺杂浓度的y倍，第i个GaN量子垒层的硅掺杂浓度为第1个GaN量子垒层硅掺杂浓度的yi‑1倍，0.5＜y＜1，1＜i≤x，第(x+1)个GaN量子垒层的硅掺杂浓度为0。
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