[发明专利]一种大功率垂直结构LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201810373984.6 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108807627B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 郭佳利;郭裕彬 |
| 地址： | 517000 广东省河*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了大功率垂直结构LED外延结构，包括生长在Si衬底上的预铺Al层、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、u型GaN层、第一石墨烯层、n型GaN层、多量子阱、p型GaN层、第二石墨烯层，所述第一石墨烯层和第二石墨烯层采用气相沉积而成。该LED外延结构具有较佳的光电性能，应用广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 垂直 结构 led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大功率垂直结构LED外延结构，其特征在于，包括生长在Si衬底上的预铺Al层、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、u型GaN层、第一石墨烯层、n型GaN层、多量子阱、p型GaN层、第二石墨烯层，所述第一石墨烯层和第二石墨烯层采用气相沉积而成。
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