[发明专利]一种GaN基LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810374612.5 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108682720A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 郭佳利;郭裕彬 |
| 地址： | 517000 广东省河*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基LED外延结构及其制备方法，GaN基LED外延结构，包括Si衬底；所述Si衬底上依序向上生长有AlN层、AlGaN层、第一N型GaN层、第二N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述第二N型GaN层包括Si掺杂GaN层和不掺杂GaN层；制备方法包括：第一生长步骤：在Si衬底上依序向上生长AlN层、AlGaN层和第一N型GaN层；第二生长步骤：Si掺杂GaN层和不掺杂GaN层间隔生长；第三生长步骤：生长InGaN/GaN多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，得到GaN基LED外延结构；该结构增加量子阱内的电子浓度，提升LED的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 外延结构 生长 衬底 制备 不掺杂GaN层 电子阻挡层 向上生长 掺杂 光电性能 结构增加 量子阱 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基LED外延结构，包括Si衬底；其特征在于，所述Si衬底上依序向上生长有AlN层、AlGaN层、第一N型GaN层、第二N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述第二N型GaN层包括至少一层Si掺杂GaN层和至少一层不掺杂GaN层；所述Si掺杂GaN层和不掺杂GaN层间隔叠合设置；所述Si掺杂GaN层的Si掺杂浓度为1×1019‑1×1020cm‑3。
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