[发明专利]一种AlN缓冲层结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810374639.4 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108807625A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 郭佳利;郭裕彬 |
| 地址： | 517000 广东省河*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlN缓冲层结构，包括衬底、AlN纳米柱阵列缓冲层、AlGaN缓冲层、n‑GaN层、多量子阱、电子阻挡层、P‑GaN。其中，AlN缓冲层结构为纳米柱阵列结构。相对于薄膜型缓冲层，纳米柱阵列缓冲层与衬底的接触面积小，应力容易得到释放，可大大缩短裂纹长度；纳米柱材料有缺陷自排除效应，可大大降低缺陷密度。基于以上两点，以AlN纳米柱阵列作为缓冲材料，更易获得无裂纹高质量的GaN薄膜，进而提升GaN基LED器件的整体性能。同时，本发明还公开了AlN缓冲层结构制备方法，采用两步法制备LED外延片，先用PECVD生长AlN纳米阵列缓冲层，再用MOCVD生长后续材料，明显提高了LED外延片的制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 纳米柱阵列 制备 衬底 电子阻挡层 多量子阱 缓冲材料 纳米阵列 薄膜型 两步法 纳米柱 生长 释放 | ||
【主权项】：
1.一种AlN缓冲层结构，其特征在于，其包括衬底，在衬底上依次生长出AlN纳米柱阵列缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN三维层、n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、电子阻挡层及p‑GaN层。
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